Transphorm氮化镓器件率先到达对机电驱动利用相当主要的抗短路稳健性里程碑 “Transphorm, Inc.本日公布，操纵该公司的一项专利手艺，在氮化镓功率晶体管上实现了长达5微秒的短路耐受时候（SCWT）。这是同类产物有记实以来初次到达的成绩，也是全部行业的一个主要里程碑，证实 Transphorm 的氮化镓器件可以或许知足伺服机电、工业机电和汽车动力传动系统等传统上由硅 IGBT 或碳化硅（SiC）MOSFET 供给撑持的坚忍型功率逆变器所需的抗短路能力 --- 氮化镓在这类利用范畴将来五年的潜伏市场范围(TAM)跨越 30 亿美元。

与安川机电公司合作获得的这项功效，充实操纵了 Transphorm 常关型平台的根基优势。新世代电力系统的将来，氮化镓（GaN）功率半导体产物的全球领先供给商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）本日公布，操纵该公司的一项专利手艺，在氮化镓功率晶体管上实现了长达5微秒的短路耐受时候（SCWT）。这是同类产物有记实以来初次到达的成绩，也是全部行业的一个主要里程碑，证实 Transphorm 的氮化镓器件可以或许知足伺服机电、工业机电和汽车动力传动系统等传统上由硅 IGBT 或碳化硅（SiC）MOSFET 供给撑持的坚忍型功率逆变器所需的抗短路能力 --- 氮化镓在这类利用范畴将来五年的潜伏市场范围(TAM)跨越 30 亿美元。

该项目标开辟获得了安川机电公司的撑持，安川机电是Transphorm的持久计谋合作火伴，同时也是中低电压驱动器、伺服系统、机械节制器和工业机械人范畴的全球带领者之一。与现有解决方案比拟，氮化镓可以实现更高的效力和更小的尺寸，也让氮化镓成为伺服系统利用中极具吸引力的功率转换手艺，为此，氮化镓必需经由过程该范畴要求的严酷的稳健性测试，此中最具挑战性的是需要承受住短路冲击，当产生短路故障时，器件必需在年夜电流和高电压并存的极端前提下正常运行。系统检测到故障并住手操作有时可长达几微秒时候，在此时代，器件必需能承受故障带来的冲击。安川机电公司手艺部根本研发治理部司理 Motoshige Maeda 说：“假如功率半导体器件不克不及承受短路，那末系统自己极可能产生故障。业界曾有一种根深蒂固的观点，认为在近似上述重型电源利用中，氮化镓功率晶体管没法知足短路耐受要求。安川机电与Transphorm 合作多年，我们认为这类观点是毫无按照的。今天也证实我们的不雅点是准确的。我们对Transphorm团队所获得的功效感应兴奋，并等候能展现我们的产物设计是若何受益在这一全新的氮化镓器件特征。”这项短路手艺已在Transphorm新设计的一款15mΩ 650V 氮化镓器件长进行了验证。值得留意的是，在 50 kHz 的硬开关前提下，器件的峰值效力到达 99.2%，最年夜功率为12kW , 不但展现了器件的良好机能和高靠得住性，也合适高温高电压应力规格要求。Transphorm 结合开创人兼首席手艺官 Umesh Mishra 暗示：“尺度的氮化镓器件只能承受延续时候为几百分之一纳秒的短路，这对故障检测和平安关断操作来讲太短了。但是，凭仗我们的cascode架构和要害专利手艺，在不增设外部组件的环境下，Transphorm实现了将短路耐受时候耽误至5微秒，从而连结器件的低本钱和高机能特点。Transphorm领会高功率、高机能逆变器系统的需求，Transphorm超强的立异能力有着悠长的汗青沿革，我们可以高傲地说，这些经验帮忙我们将氮化镓手艺晋升到新的程度，这再次证实了Transphorm在高压氮化镓稳健性和靠得住性的全球领先地位，在氮化镓在机电驱动和其他高功率系统利用上改变现有场面地步并饰演要害的脚色。”对SCWT功效的完全介绍、演示阐发和更多的相干内容，将在来岁的年夜型电力电子会议上颁发。关在TransphormTransphorm, Inc.是氮化镓革命的全球带领者，致力在设计、制造和发卖用在高压电源转换利用的高机能、高靠得住性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm具有最重大的功率氮化镓常识产权组合之一，持有或获得授权的专利跨越1,000多项，在业界率师长教师产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益在垂直整合的营业模式，公司可以或许在产物和手艺开辟的每个阶段进行立异：设计、制造、器件和利用撑持。Transphorm的立异使电力电子装备冲破硅的局限性，以使效力跨越99%、将功率密度提高50%和将系统本钱下降20%。Transphorm的总部位在加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工场。如需领会更多信息，请拜候www.transphormchina.com。接待在Twitter@transphormusa和微信@Transphorm_GaN上存眷我们。